相应的，藏电超额所有产物中总的16O/18O比值最初大于1，在385°C左右等于1，之后小于1。

由于纳米结构材料的高体积比，外送完成样品表面的缺陷会影响性能，不利于双极性InSb光电探测器。【背景介绍】近十年里，目标低维III-V化合物半导体纳米材料在高速纳米级电子学和广谱检测中具有优异的物理特性，被广泛的研究关注。

在覆盖保护层后，藏电超额极大的提高了探测器的性能，该光电探测器的响应度和探测度分别为311.5AW-1和9.8×109Jones。在具有高表面与体积的低维纳米尺度光电检测器中，外送完成光生载流子的寿命延长，载流子通过时间缩短，提高信噪比。作为一种直接带隙III-V化合物半导体，目标InSb具有最小的带隙和最高的电子迁移率，成为中波长红外（MWIR）范围内潜在的检测器材料。

【图文解读】图一、藏电超额InSbNSs表征（a）单个InSbNS的俯视图和侧视图。有效传导通道越短，外送完成传输速度越快。

目标研究成果以题为HighlySensitiveInSbNanosheetsInfraredPhotodetectorPassivatedbyFerroelectricPolymer发布在国际著名期刊Adv.Funct.Mater.上。

纳米线（NWs）、藏电超额纳米片等低维纳米结构具有较大的表面与体积比，表面态通过表面附近的固有缺陷态和化学吸附影响光敏感性。首先，外送完成利用主成分分析法（PCA）对铁电磁滞回线进行降噪处理，外送完成降噪后的磁滞曲线由（图3-7）黑线所示，能够很好的拟合磁滞回线所有结构特征，解决了传统15参数函数拟合精度不够的问题（图3-7）红色。

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外送完成这就是最后的结果分析过程。实验过程中，目标研究人员往往达不到自己的实验预期，而产生了很多不理想的数据。